E18000 - SEMI E180 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination Through ICP-MS of Critical Chamber Components Used in Semiconductor Wafer Processing StdPbc-0225 MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。

MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。

本スタンダードが意図しているのは，すべてのメカニカルインタフェースにておいて，モジュール性と互換性を確保しながら，技術革新を妨げないよう最小レベルの仕様を定めることである。本仕様におけるほとんどの要求事項は，最大および最小の寸法という形をとっており，表面仕様が要求されることはほとんどない。カセットに対するメカニカルインタフェースだけが規定されており，材料に対する要求事項やパーティクルなどの汚染限度は示されていない。しかしながら，金属製や射出成型プラスチック製のカセットの両方がスタンダードに適合して製造できるように，本スタンダードは作成されている。

mechanical characteristics and measurement method for the 300 mm wafer tape frame

SEMI E125-1022 (technical revision)

originally published in September 1997

E18000 - SEMI E180 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination Through ICP-MS of Critical Chamber Components Used in Semiconductor Wafer Processing StdPbc-0225 MSの偏り，サイズ，およびすべての変動性のソースを正確に特定することにより，そのMSが意図した機能を実行する能力があるかどうかを決定できる。さらに，よく設計されたMSAを使用して最も改善が必要な領域を特定し，定量化できる。This Document describes a method for a quantitative analysis for surface trace metal concentration of critical chamber components (CCCs) by using inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP MS). This Standard is intended to promote communication between the users and the processing equipment suppliers. It can be also used to facilitate better communication regarding surface metal contamination expectation and its test method between the